MAXQ构架上闪存和SRAM存储器的分配

MAXQ架构是一种基于标准Harvard结构、功能强大的单周期RISC微控制器，程序和数据存储总线相互独立。这种组织形式要求每个存储器具有专用总线(图1)，所以可同时读取指令和操作数。由于不存在单条数据总线的冲突问题，MAXQ指令的执行时间仅需要单个周期。

图1. Harvard结构

每个MAXQ器件采用以下存储器类型：

闪存

SRAM

固定用途ROM

MAXQ器件也可从闪存、固定用途ROM或SRAM执行程序代码。从某个存储器段执行程序代码时，其它两个存储器段可作为数据存储器(更多详细信息，请参阅从闪存执行程序和执行固定用途ROM函数部分)。这是因为程序和数据存储器总线不能同时存取同一存储器段。

有人可能认为采用Harvard结构的MAXQ微控制器也不能在非易失闪存中储存数据。然而，MAXQ器件内嵌固定用途ROM函数，允许读、写非易失闪存数据。

从闪存执行程序

MAXQ器件中，从闪存执行应用程序时，数据存储器为SRAM(读和写)和固定用途ROM(只读)。从闪存执行代码时，数据存储器映射请参见表1，存储器映射参见图2。

SRAM数据存储器在存储器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字节寻址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字寻址模式下)。

固定用途ROM在存储器映射中位于地址0x8000至0x9FFFh (字节模式)或地址0x8000至0x8FFF (字寻址模式下)。

表1. 从闪存执行应用代码时的数据存储器映射Addressing ModeSRAMUtility ROMStart AddressEnd AddressStart AddressEnd AddressByte Mode0x00000x07FF0x80000x9FFFWord Mode0x00000x03FF0x80000x8FFF图2. 从闪存执行应用代码时的存储器映射

执行固定用途ROM函数

执行固定用途ROM函数时，数据存储器为SRAM(读和写)和闪存(读和写)。从闪存执行应用程序且变量或数据对象位于闪存时，可通过固定用途ROM函数读或写这些变量或数据对象。通过跳转至执行固定用途ROM函数，即可将闪存作为数据进行存取。从固定用途ROM执行代码时，数据存储器映射请参见表2，存储器映射参见图3。

SRAM数据存储器在存储器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字节寻址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字寻址模式下)。

字节寻址模式下，CDA0 = 0时，闪存的低半部分在存储器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh；CDA0 = 1时，闪存的高半部分在存储器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh。字寻址模式下，闪存在存储器映射中位于地址0x8000至0xFFFF。

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